Dr. Matthias Hoener
Deutsch, Englisch
Studium der Physik an der Universität Hamburg; Promotion an der Technischen Universität Berlin; Scientific Associate Lawrence Berkeley National Laboratory und Western Michigan University, Forschungstätigkeiten an der LCLS des Stanford Linear Accelerator Centers, USA und am CEA in Saclay, Frankreich; Rechtswissenschaften an der Fernuniversität Hagen
Deutsche Patentanwaltskammer, epi, FICPI, GRUR, Deutsche Physikalische Gesellschaft
Angewandte Physik, Fahrzeugtechnik, Medizintechnik, Informationstechnologie
Alle Angelegenheiten des Gewerblichen Rechtsschutzes, insbesondere Patent-, Gebrauchsmuster-, Marken- und Designrecht, Lizenzangelegenheiten; Gewerblicher Rechtsschutz
